由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的附加驱动因素。肖特基二极管功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。在英国肖特基二极管、日本和中国也存在类似的标准。DCM模式一般用于输出功率在75W到300W之间的应用；CCM模式用于输出肖特基二极管应用功率大于300W的应用。当输出功率超过250W时，PFC具有成本效益，因为其它方面(比如效率)得到了补偿性的提高。主动PFC有两种通用模式：使用三角形和梯形电流波形的不连续电流模式(DCM)和连续电流模式(CCM)。

　　在输入肖特基二极管85V交流电压时，必须有较低的Rdson，因为传导热损失与输入电压的3次方成反比关系。这种MOSFET管的高频工作能够显著减少升压抑制。因此晶体管的快速开关特性是必须的。肖特基二极管应用升压二极管应该具有快速开关、低Vf和低Qrr特性。为了减少MOSFET在接通时的峰值电流压力，低Qrr是必须的。如果没有这一特性，升压MOSFET将增加温度和Rdson，导致更多的功率损失，从而降低效率。在高功率密度应用中效率是取得较小体积(30W/cm3英寸)和减少无源器件尺寸的关键因素。因此高的开关频率必不可少。

　　为了设计效率和外形尺寸优的CCM PFC，升压二极管还必须肖特基二极管应用具备以下一些特性：较短的反向恢复和正向恢复时间；较小的储存电荷Q；低的漏电流和较低的开关损耗。过压和浪涌电流能力非常重要，它们能够用来处理PFC中由启动和交流回落引起的浪涌和过电流。这些特性只有用碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)才能实现。 

　　由于SiC肖特基二极管的开关行为独立于正向电流(Iload)、开关速度(di/dt)和肖特基二极管应用温度，因此这种肖特基二极管在设计中很容易使用。在设计中采用SiC肖特基二极管能够实现大的开关工作频率(高可达1MHz)，从而可以使用更小体积的无源器件。